收藏本站
NCV8405, NCV8405A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
300
210
250
150 ° C, I D = 1.4 A
190
150 ° C, V GS = 10 V
170
200
150 ° C, I D = 0.5 A
150
150 ° C, V GS = 10 V
100 ° C, I D = 1.4 A
25 ° C, I D = 1.4 A
150
100 ° C, I D = 0.5 A
100
? 40 ° C, I D = 1.4 A
50 ? 40 ° C, I D = 0.5 A
3 4 5 6 7 8 9
25 ° C, I D = 0.5 A
10
130
110
90
70
50
0.5
1
100 ° C, V GS = 5 V
100 ° C, V GS = 10 V
25 ° C, V GS = 5 V
25 ° C, V GS = 10 V
? 40 ° C, V GS = 5 V
? 40 ° C, V GS = 10 V
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
2.0
V GS (V)
Figure 8. R DS(on) vs. Gate ? Source Voltage
15
I D (A)
Figure 9. R DS(on) vs. Drain Current
1.75
1.5
1.25
1.0
I D = 1.4 A
V GS = 5 V
V GS = 10 V
13
11
9
7
? 40 ° C
25 ° C
100 ° C
150 ° C
V DS = 10 V
0.75
5
0.5
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100 120
140
3
5
6
7
8
9
10
T ( ° C)
Figure 10. Normalized R DS(on) vs. Temperature
10
V GS (V)
Figure 11. Current Limit vs. Gate ? Source
Voltage
14
12
1
V GS = 0 V
150 ° C
10
V GS = 10 V
0.1
100 ° C
8
V GS = 5 V
0.01
25 ° C
? 40 ° C
6
V DS = 10 V
4
? 40 ? 20 0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.001
10
15
20
25
30
35
40
T J ( ° C)
Figure 12. Current Limit vs. Junction
Temperature
http://onsemi.com
5
V DS (V)
Figure 13. Drain ? to ? Source Leakage Current
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NCV8405STT3G IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4
A9CAA-1204F FLEX CABLE - AFG12A/AF12/AFE12T
MAX4824ETP+T IC 8CH RELAY DVR PWR SAVE 20TQFN
A9CAA-0402E FLEX CABLE - AFK04A/AE04/AFH04T
A9CCG-0802F FLEX CABLE - AFG08G/AF08/AFG08G
A9AAT-1008E FLEX CABLE - AFH10T/AE10/AFH10T
HK10056N2S-T INDUCTOR HIFREQ 6.2+/-0.3NH 0402
A9CCA-0506F FLEX CABLE - AFG05A/AF05/AFG05A
相关代理商/技术参数
NCV8405DTRKG 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8405STT1G 功能描述:MOSFET SELF-PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405STT3G 功能描述:MOSFET SELF-PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8406ADTRKG 功能描述:功率驱动器IC 65V, SMARTFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
NCV8406ASTT1G 功能描述:MOSFET 65V, SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8406ASTT3G 功能描述:MOSFET 65V SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8406DTRKG 功能描述:MOSFET 65V6A SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8406STT3G 功能描述:功率驱动器IC 65 V,6 A SINGLE N-CH RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube